PRX快速可控硅R6002025XXYA交直流開關安全可靠

2023-10-11 23:40:31

晶閘管可工作的大頻率由其工作時的電流脈沖寬度,關斷時間以及從關斷后承受正壓開始至其再次開通的時間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據工作頻率選取元件時元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq,并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高,元件正向損耗和反向恢復損耗隨之升高,元件通態電流須降額使用。

晶閘管整流電路器件選擇:工頻整流是晶閘管元件常用的領域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。
1、晶閘管器件的正反向峰值電壓:應為元件實際承受大峰值電壓UM的2-,即(2-3)。
2、晶閘管器件的額定通態電流:晶閘管的IT值指的是工頻正弦半波平均值,為使元件在工作過程中不因過熱損壞,流經元件的實際有效值應在乘以安全系數1.5-2后才能等于1.57IT。假設整流電路負載平均電流為Id,流經每個器件的電流有效值為KId。

晶閘管的工作原理:
1、晶閘管具有單向導電性:正向導通條件:A、K間加正向電壓,G、K間加觸發信號;
2、晶閘管一旦導通,控制失去作用:若使其關斷,降低UAK或加大回路電阻,把陽電流減小到維持電流以下;
晶閘管的結構:晶閘管由四層半導體材料構成,它有三個:陽,陰和門。晶閘管是在晶體管基礎上發展起來的一種大功率半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。

晶閘管導通的條件:
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓;
2、控制與陰之間也接正向電壓(實際工作中,控制加正觸發脈沖信號);
晶閘管導通后,控制便失去作用。依靠正反饋,晶閘管仍可維持導通狀態。
關斷晶閘管的方法:將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護:
1、過電流:當流過晶閘管的電流有效值超過它的額定通態平 均電流的有效值時,稱為過電流;
2、原因:負載過重,輸出回路短路等;
3、過電流保護:當發生過電流時,能迅速將電流切斷,以防晶閘管損壞;
4、措施:靈敏過電流繼電器保護、快速熔斷器保護等;
5、快速熔斷器 。

晶閘管的使用注意事項:選用晶閘管的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量;
1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值;
2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時,應立即更換;
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況;
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且所規定的冷卻條件。為散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱;
5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置;
6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。

晶閘管的伏安特性
晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于三象限。
(1) 反向特性
當門極G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,同時J3結也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后,晶閘管會發生性反向擊穿。
(2) 正向特性
當門極G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。
由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子進入N1區,空穴進入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合。同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿后,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉。這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍有增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏,晶閘管便進入正向導電狀態——通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,如圖2的BC段。
(3) 觸發導通
在門極G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區的空穴進入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

可控硅技術是具有半個多世紀的技術,在可控硅調光技術之后,照明行業有采用0/1-10V模擬調光、DMX512與DALI等數字調光協議技術。但是,可控硅調光技術卻有著一定的的優勢,一個是歷史傳承原因,另外一個無需信號線,不用改變原有線路的簡便性,成本低、施工方便比較受工程方歡迎,所以可控硅調光電源還是占據調光電源的市場份額。大家都說可控硅調光要做匹配測試到底在匹配什么?一般可控硅產品仍具有兼容性等問題盡管多個跨國大LED驅動IC的廠開發出了可以兼容現有可控硅調光器的IC芯片來,一般電源公司的可控硅電源都是利用這種通用IC方案實現的,針對市面上有幾百上千種不同規格的可控硅和晶體管調光開關,實際上所開發的IC根本不可能兼容大多數的可控硅開關,兼容性比較低,兼容一直困擾整個行業。經常會聽到工程客戶說找了很多廠家的電源,都沒有辦法兼容到光控制系統。除此之外大多數可控硅電源還有許多較常見的問題像調光效果不好、調光范圍窄、容易出現閃爍等。
兼容性,是調光器與調光電源的匹配說到可控硅調光的兼容性問題,其中一個常見問題在于通常切相調光器在調光時所產生的和小觸發角存在著很大的不一致,導致LED燈具調光性能的差異化。不不同的觸發角的變動范圍都非常大,如此一來,其導通時間和施加給負載的功率也會出現變化。相切調光器的導通周期都與LED的工作電流直接相關,并因此而影響著燈具的發光量。假設LED驅動電源具有固定的調光曲線,針對不同的調光器,該驅動電源電路的性能表現也會不一樣。此外,調光曲線上的任何非線性都會加劇調光器之間的性能差異。

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晶閘管特點“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通??刂茦O的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關斷。
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