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日本microphase石墨烯合成設備MPCVD-50

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日本microphase石墨烯合成設備MPCVD-50

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用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫屬化物成膜等。

目的 :用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設備。
通過增加氨氣、各種CVD反應氣體、升華固體前驅體、液體前驅體的引入單元,
可應用于氮化、硫屬化物(二硫化鉬MoS2等)層狀材料沉積等。
特征 :
  •  配備液體燃料引入系統,可用于無法安裝烴類氣體的場所。

  •  3系統質量流量氣體流量控制系統,可以進行的氣體控制。

  •  真空排氣系統是標準設備,可用作真空爐或氣氛爐。

  •  緊湊而堅固的外殼設計,易于安裝在桌面實驗室工作臺上。

  •  高度可擴展且易于處理任何類型的處理。

LIB電池用Si負極材料上的碳涂層

 

二硫化鉬薄膜

長 CNT/Si 的 SEM 圖像

粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

主要規格

基本配置管式爐正常使用溫度400-1000℃
爐內尺寸60mmφ×L260mm
溫度控制1區可編程溫度控制器
外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
電容700W
芯管材料石英
尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
氣體控制質量流量控制器
引入氣體類型

載氣:N2 或 Ar

還原氣體:H2

烴類氣體:C2H2 或 C2H4 或 CH4

真空計波登管真空計
排氣泵旋轉泵
外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
液體物料引入系統
催化劑前驅體引入機制
外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm

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