日本photoscience碳化硅顯微鏡SCM-100

日本photoscience碳化硅顯微鏡 SCM-100

概述

GaN 和 SiC 作為下一代功率半導體受到關注，因為它們具有將功率損耗減半和減輕重量的能力。
晶體缺陷是 SiC 功率器件存在的問題，但可以使用 SCM-100 快速觀察并進行分類。
　
SCM-100 具有向 SiC 樣品晶體管的內置二極管施加預編程電流的功能。這是一種可以通過安裝在顯微鏡上的相機拍攝缺陷來檢測缺陷的設備，因為當施加電流時電流不流動的區域（缺陷）不會發光?？梢杂蔑@微鏡放大SiC樣品表面，用攝像頭監測可見光區的發射，觀察原位缺陷生長情況?？梢砸约验g隔捕獲和保存圖像。使用可選的Peltier冷卻水冷卻單元使SiC器件樣品臺的溫度保持在80°C以下。

特征

• 相機捕捉SiC樣品的顯微圖像并實時LCD輸出

• 多可在 3 秒至 24 小時的間隔拍攝 999 張照片，并可保存在 SD 卡上。

• 能夠在短 0.1 秒內對輸出電壓、輸出電流和狀態信息進行采樣

• 一臺PC可控制5個電源并保存數據

• 輸出到17寸液晶時，觀察倍率大約是60倍到200倍左右。

• SiC 樣品中缺陷生長的原位觀察

用法

碳化硅器件

主要規格 SCM-100　*規格如有更改，恕不另行通知。