氮化硅油封

氮化硅陶瓷缸套<br>

通過添加30w%t 的成孔劑，制備出氣孔率為55%左右的具有球形宏 觀孔的多孔氮化硅陶瓷； 隨著預燒結溫度的增高，多孔氮化硅陶瓷燒結體的抗彎強度明顯 提高，大可提高到50MPa左右，試樣的介電常數和介電損耗都有小幅 度的增加； 隨著預燒結時間的加長，多孔氮化硅陶瓷燒結體的抗彎強度明顯 提高，大可提高到60MPa左右，試樣的介電常數和介電損耗都有小幅 度的增加； 在硅粉中添加5w%tY2O3 + 5w%tAl2O3, 在不同時間下進行預燒, 可以 減小試樣的介電常數，并且隨預燒結時間的增加而減小<br>

碳化硅：維氏硬度22.2±2.2GPa











































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熱導率為16.7W/(m·K)在很寬的溫度范圍內氮化硅都是一種具有一定的熱導率、低熱膨脹系數、彈性模量較高的高強度硬陶瓷<br>

氮化硅有雜質或過量硅時呈灰色<br>

得知5%AT和10%AT2種陶瓷的熱膨脹系數相近,即微裂紋數量相近,所以它們的抗彎強度也相近而此時純氧化鋁陶瓷的氣孔率低,同時體積密度也小,說明它的內部含有一定量的閉氣孔,這些閉氣孔可能有鈍化主裂紋的作用,使氧化鋁陶瓷的強度略高<br>

它極耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解<br>

碳化硅材料具有良好的非線性導電特性，碳化硅的導電機理目前還沒有一個統一的看法，但是可以肯定的一點是：碳化硅的伏安特性的非線性是由顆粒間的接觸現象所引起的，其電阻可以隨電場的增加而自動降低，從而達到自動調節場強的目的，所以碳化硅是一種理想的防電暈材料<br>

為了簡明化，定義了一個新材料參數—恢復阻力，2smshPR=，它反映了材料在壓痕加載－卸載過程中的能量耗散，式中Pm是大載荷，hs是壓痕邊緣線在載荷方向的彈性恢復位移（圖1）從而獲得接觸模量、硬度 rEH和恢復阻力三者之間的理論關系：sRsrHRDE=（對于Berkovich或Vickers壓頭，為 0.6647）材料的彈性模量DE可由接觸模量確定，即（rEiirEEE/)1(/)1(/122νν+=E，ν為材料的彈性模量和泊松比，而和iEiν為壓頭材料的彈性模量和泊松比）這三個參數、 rEH、之間只有兩個是立的該研究結果表明這幾種材料參數有如圖2所示的關系<br>
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