日本mitsuboshi圖形形成用活性金屬漿料
一種厚膜漿料,使用活性金屬 Ti 與陶瓷基板粘合。除氧化鋁、氮化鋁等陶瓷外,還可與氮化硅結合。通過在活性金屬漿料上層疊銅漿料,可以形成以往的厚膜漿料無法實現的可靠性高的厚膜導體。也可以使用活性金屬膏作為結合層來結合陶瓷基板和銅板。
?適合氮氣氣氛燒成?高密合性和高溫度:750~900℃燒成?不含鉛(Pb)等對環境有害的物質
可靠性)。
在使用常規玻璃料作為接合材料的厚膜漿料的情況下,當進行熱沖擊試驗時,玻璃接合層隨著循環次數的增加而被破壞,并且粘合強度逐漸降低。另一方面,活性金屬漿料即使在 3000 次循環后仍具有非常高的附著力。
?以活性金屬漿料為接合層的銅漿料厚膜(50μm)燒制板
?左圖的接合截面SEM像
?功率器件用陶瓷散熱電路封裝?
要求高可靠性的陶瓷電路基板和陶瓷封裝
?應在氮氣氛中進行燒成。
?其他使用注意事項請參照各產品的產品安全數據表(SDS)。