力神6號新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別
傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。
金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦
半導體通常為硅(Si)或砷化鎵(GaAs)。
由于電子升壓機頭比空穴遷移率大,為獲得良好的頻率特性,
故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容,
提高反向擊穿電壓,同時又不使串聯電阻過大,
通常逆變器是在N+襯底上外延一高阻N-薄層。其結構示圖如圖1(a),
圖形符號和等效電路分別如圖1(b)和圖1(c)所示。在圖1(c)中,
CP是管殼并聯電容,LS是引線電感,
RS是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯電阻,
Cj和Rj分別為結電容和結電阻(均為偏流、偏壓的函數)。
漳州大家知道,金屬導體內部有大量的導電電子。
當金屬與半導體接觸(二者距離只有原子大小的數量級)時,
金屬的費米能級低于半導體的費米能級。